Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ORTIZ DE ZEVALLOS, Angela M et al. Influence of plasma etching and thermal annealing conditions on the electroluminescence of GaN pn junctions. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 11 maio 2024.APA
Ortiz de Zevallos, A. M., Ribeiro, M., Leite, J. R., Tabata, A., & Freitas Junior, J. A. (2003). Influence of plasma etching and thermal annealing conditions on the electroluminescence of GaN pn junctions. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.NLM
Ortiz de Zevallos AM, Ribeiro M, Leite JR, Tabata A, Freitas Junior JA. Influence of plasma etching and thermal annealing conditions on the electroluminescence of GaN pn junctions. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 11 ]Vancouver
Ortiz de Zevallos AM, Ribeiro M, Leite JR, Tabata A, Freitas Junior JA. Influence of plasma etching and thermal annealing conditions on the electroluminescence of GaN pn junctions. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 maio 11 ]